基本信息:
- 专利标题： 包含纳米复合材料绝缘体的相变存储单元
- 专利标题（英）：Phase change memory cell including nanocomposite insulator
- 申请号：CN200710130476.7 申请日：2007-07-19
- 公开(公告)号：CN101110468A 公开(公告)日：2008-01-23
- 发明人： 托马斯·哈普 , 扬·鲍里斯·菲利普
- 申请人： 奇梦达北美公司
- 申请人地址： 美国北卡罗来纳州
- 专利权人： 奇梦达北美公司
- 当前专利权人： 奇梦达北美公司
- 当前专利权人地址： 美国北卡罗来纳州
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 余刚; 尚志峰
- 优先权： 11/490,213 2006.07.20 US
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; G11C11/56
摘要：
一种存储单元包括第一电极、第二电极、位于第一电极和第二电极之间的存储材料、以及接触存储材料的纳米复合材料绝缘体。