基本信息:
- 专利标题： 具有阶梯式编程特性的相变存储单元
- 专利标题（英）：Phase change memory cell having a step-like programming characteristic
- 申请号：CN200710129456.8 申请日：2007-07-17
- 公开(公告)号：CN101110465A 公开(公告)日：2008-01-23
- 发明人： 托马斯·哈普 , 扬·鲍里斯·菲利普
- 申请人： 奇梦达北美公司
- 申请人地址： 美国北卡罗来纳州
- 专利权人： 奇梦达北美公司
- 当前专利权人： 奇梦达北美公司
- 当前专利权人地址： 美国北卡罗来纳州
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 余刚; 尚志峰
- 优先权： 11/488,313 2006.07.18 US
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; H01L27/24 ; G11C11/56
摘要：
存储单元包括第一电极、第二电极、以及与第一电极和第二电极接触的相变材料。相变材料具有阶梯式编程特性。第一电极、第二电极、以及相变材料形成平面或桥式相变存储单元。