基本信息:
- 专利标题： 连续一列式阴影掩膜沉积过程中用多次沉积事件形成导通孔的系统和方法
- 专利标题（英）：System for and method of forming via holes by multiple deposition events in a continuous inline shadow mask deposition process
- 申请号：CN200580044297.0 申请日：2005-12-20
- 公开(公告)号：CN101088151A 公开(公告)日：2007-12-12
- 发明人： 托马斯·P·布罗迪 , 约瑟夫·A·马尔卡尼奥 , 杰弗里·W·康拉德 , 蒂莫西·A·考恩
- 申请人： 阿德文泰克全球有限公司
- 申请人地址： 英属维尔京群岛托托拉岛
- 专利权人： 阿德文泰克全球有限公司
- 当前专利权人： 阿德文泰克全球有限公司
- 当前专利权人地址： 英属维尔京群岛托托拉岛
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理人： 陈源; 张天舒
- 优先权： 11/020,907 2004.12.23 US
- 国际申请： PCT/US2005/046348 2005.12.20
- 国际公布： WO2006/071671 EN 2006.07.06
- 进入国家日期： 2007-06-22
- 主分类号： H01L21/4763
- IPC分类号： H01L21/4763 ; C23C16/00
摘要：
在连续一列式阴影掩膜生产系统中通过沉积第一导电层随后在第一导电层的一部分之上沉积第一绝缘层来形成导通孔。第一绝缘层是以沿其边缘定义至少一个凹口的方式沉积的。然后第二绝缘层以该第二绝缘层与第一绝缘层的每个凹口稍微重叠来形成一个或者多个导通孔的方式被沉积在第一导电层的另一部分上，从而形成一个或多个导通孔。导电填充物可以有选择性地沉积在每个导通孔中。最后，第二导电层可以被沉积在第一绝缘层、第二绝缘层、以及导电填充物(如果提供)上。
公开/授权文献:
- CN101088151B 连续一列式阴影掩膜沉积过程中用多次沉积事件形成导通孔的系统和方法 公开/授权日：2010-05-12
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/42 | ....用辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/461 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/4763 | ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理 |