基本信息:
- 专利标题： 采用无定形氧化物的场效应晶体管
- 专利标题（英）：Field effect transistor employing an amorphous oxide
- 申请号：CN200580038272.X 申请日：2005-11-09
- 公开(公告)号：CN101057338B 公开(公告)日：2011-03-16
- 发明人： 佐野政史 , 中川克己 , 细野秀雄 , 神谷利夫 , 野村研二
- 申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 佳能株式会社,国立大学法人东京工业大学
- 当前专利权人： 佳能株式会社,国立大学法人东京工业大学
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 李德山
- 优先权： 326683/2004 2004.11.10 JP
- 国际申请： PCT/JP2005/020982 2005.11.09
- 国际公布： WO2006/051995 EN 2006.05.18
- 进入国家日期： 2007-05-09
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/363
摘要：
提供了一种采用无定形氧化物的新颖的场效应晶体管。在本发明的实施例中，该晶体管包括含有浓度低于1×1018/cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层包括与该无定形氧化物接触的第一层和不同于第一层的第二层。
摘要（英）：
A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1*10-18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.
公开/授权文献:
- CN101057338A 采用无定形氧化物的场效应晶体管 公开/授权日：2007-10-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |