基本信息:
- 专利标题： 铁电体存储装置及其制造方法
- 专利标题（英）：Ferroelectric memory device and method of manufacture of same
- 申请号：CN200610002458.6 申请日：2006-01-26
- 公开(公告)号：CN100570861C 公开(公告)日：2009-12-16
- 发明人： 阿部一英
- 申请人： 冲电气工业株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 冲电气工业株式会社
- 当前专利权人： 拉碧斯半导体株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 岳耀锋
- 优先权： 2005-114680 2005.04.12 JP
- 主分类号： H01L21/8239
- IPC分类号： H01L21/8239 ; H01L21/316 ; H01L27/105 ; G11C11/22
摘要：
提供一种铁电体存储装置及其制造方法，其电气特性优良、性能更高。为此，在半导体基板(11)上形成下侧绝缘膜(第一绝缘膜30)；形成依次层叠下部电极(42)、铁电体层(44)和上部电极(46)而成的铁电体电容结构体(40)；形成覆盖铁电体电容结构体的上侧绝缘膜(第五绝缘膜50)；形成在上侧绝缘膜上延伸的布线层(70)；形成覆盖布线层和上侧绝缘膜、具有5～50nm的膜厚的氧化铝膜(90)。
公开/授权文献:
- CN1848409A 铁电体存储装置及其制造方法 公开/授权日：2006-10-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |