基本信息:
- 专利标题： 表面声波装置
- 专利标题（英）：Surface acoustic wave device
- 申请号：CN200580006792.2 申请日：2005-02-23
- 公开(公告)号：CN100563100C 公开(公告)日：2009-11-25
- 发明人： 西山健次 , 高田英一 , 中尾武志 , 门田道雄
- 申请人： 株式会社村田制作所
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 株式会社村田制作所
- 当前专利权人： 株式会社村田制作所
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 陈瑞丰
- 优先权： 057935/2004 2004.03.02 JP
- 国际申请： PCT/JP2005/002895 2005.02.23
- 国际公布： WO2005/083881 JA 2005.09.09
- 进入国家日期： 2006-09-01
- 主分类号： H03H9/145
- IPC分类号： H03H9/145 ; H01L41/00 ; H03H9/25
摘要：
一种表面声波装置，使得可以容易调节共振频率和中心频率，频率-温度性质优良，比例带宽宽，并且反共振阻抗高。该表面声波装置包括机电系数为15%或更高的LiTaO3或LiNbO3的压电基板(1)；至少一个电极，所述电极形成在压电基板(1)上并且是层压薄膜，所述层压薄膜具有由密度大于Al的金属或主要由该金属构成的合金的金属层作为主金属层，和层压在主金属层上由另一金属构成的金属层；和第一SiO2层(2)，该层形成在除形成所述至少一个电极的区域以外的剩余区域中，并且具有约等于电极厚度的厚度。上述表面声波装置还包含密度为第一SiO2层(2)密度的1.5倍或更高并且覆盖所述电极和第一SiO2层(2)的第二SiO2层(6)，和形成在第二SiO2层(6)上的氮化硅化合物层(22)。
公开/授权文献:
- CN1926762A 表面声波装置 公开/授权日：2007-03-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03H | 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器 |
| ------H03H9/00 | 包括机电或电声元件的网络，如谐振电路 |
| --------H03H9/02 | .零部件 |
| ----------H03H9/05 | ..支座；支承物 |
| ------------H03H9/145 | ...用于应用声表面波的网络 |