基本信息:
- 专利标题： 制造等离子处理设备的方法
- 专利标题（英）：Method for manufacturing plasma processing apparatus
- 申请号：CN200480019798.9 申请日：2004-05-13
- 公开(公告)号：CN100553400C 公开(公告)日：2009-10-21
- 发明人： 日野守 , 真弓聪 , 伊藤巧 , 上原刚 , 大野毅之
- 申请人： 积水化学工业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪
- 专利权人： 积水化学工业株式会社
- 当前专利权人： 积水化学工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 柳春琦
- 优先权： 136295/2003 2003.05.14 JP; 028339/2004 2004.02.04 JP; 077216/2004 2004.03.17 JP; 077217/2004 2004.03.17 JP; 142333/2004 2004.05.12 JP; 142334/2004 2004.05.12 JP; 142335/2004 2004.05.12 JP
- 国际申请： PCT/JP2004/006434 2004.05.13
- 国际公布： WO2004/103035 JA 2004.11.25
- 进入国家日期： 2006-01-10
- 主分类号： H05H1/24
- IPC分类号： H05H1/24 ; H01L21/3065 ; H01L21/205
摘要：
本发明提供一种制造等离子处理设备的方法，包括步骤：进行用于测量所述绝缘件和所述传导件之间的火花电压的实验；根据其中火花在比平均值低的水平出现的测量数据，获得所述火花电压相对于隔离距离，即形成于所述绝缘件和所述传导件之间的间隙的厚度的关系；设置所述绝缘件的介电常数和厚度，以使在所述绝缘件和所述传导件之间形成的间隙的厚度的变化可以被预想到的范围中，施加在所述绝缘件和所述传导件之间的电压变为小于基于所述测量数据的所述火花电压。
公开/授权文献:
- CN1823554A 等离子处理设备及其制作方法 公开/授权日：2006-08-23