基本信息:
- 专利标题： 薄膜压电共振器、其制造方法以及包括其的滤波器
- 专利标题（英）：Thin film piezoelectric resonator, method of manufacturing the same, and filter including the same
- 申请号：CN200710079154.4 申请日：2007-02-14
- 公开(公告)号：CN100547920C 公开(公告)日：2009-10-07
- 发明人： 佐野贤也 , 板谷和彦 , 尾原亮一 , 川久保隆
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理人： 杨晓光; 李峥
- 优先权： 042466/2006 2006.02.20 JP
- 主分类号： H03H9/17
- IPC分类号： H03H9/17 ; H03H9/58 ; H03H3/02
摘要：
一种薄膜压电共振器包括：具有空腔的衬底；第一介电层，设置在所述衬底上以覆盖所述空腔；第二介电层，设置在所述衬底上且设置在所述空腔的周围区域中，且其厚度大于所述第一介电层的厚度；第一电极，设置在所述第一介电层上和所述空腔上方；压电层，设置在所述第一电极上且设置为延伸至所述第二介电层上的区域；以及第二电极，设置在所述压电层上和所述第一电极上方。
摘要（英）：
A thin film piezoelectric resonator includes: a substrate having a cavity; a first dielectric layer provided on the substrate to cover the cavity; a second dielectric layer provided on the substrate and disposed in a peripheral region of the cavity, and having a thickness larger than the first dielectric layer; a first electrode provided on the first dielectric layer and above the cavity; a piezoelectric layer provided on the first electrode and disposed to extend to a region on the second dielectric layer; and a second electrode provided on the piezoelectric layer and above the first electrode.
公开/授权文献:
- CN101026371A 薄膜压电共振器、其制造方法以及包括其的滤波器 公开/授权日：2007-08-29