基本信息:
- 专利标题： 等离子掺杂方法和等离子处理装置
- 专利标题（英）：Plasma doping method and plasma processing equipment
- 申请号：CN200680010228.2 申请日：2006-03-29
- 公开(公告)号：CN100539029C 公开(公告)日：2009-09-09
- 发明人： 奥村智洋 , 佐佐木雄一朗 , 冈下胜己 , 水野文二 , 伊藤裕之 , 中山一郎 , 金成国
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 肖鹂
- 优先权： 099149/2005 2005.03.30 JP
- 国际申请： PCT/JP2006/306561 2006.03.29
- 国际公布： WO2006/114976 JA 2006.11.02
- 进入国家日期： 2007-09-28
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265 ; H01L21/22
摘要：
本发明的目的是提供在导入到样品的表面的杂质的浓度均匀性方面优秀的等离子掺杂方法，和能均匀地进行样品的等离子处理的等离子处理装置。在根据本发明的等离子掺杂装置中，用作为排放装置的涡轮分子泵(3)经由排气口(11)将真空室(1)抽空，同时从气体供应装置(2)导入预定的气体，以使用调压阀(4)使真空室(1)的内部保持预定的压力。13.56MHz的高频电由高频电源(5)供应到线圈(8)，以在真空室(1)内产生感应耦合等离子体，所述线圈设置在与样品电极(6)相对的介电窗(7)的附近。将高频电供应到样品电极(6)的高频电源(10)被设置。通过驱动活门(18)和盖住贯通门(16)，处理的均匀性得到增强。
公开/授权文献:
- CN101151709A 等离子掺杂方法和等离子处理装置 公开/授权日：2008-03-26
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |