基本信息:
- 专利标题： CMOS图像传感器的微透镜及其制造方法
- 专利标题（英）：Microlens of CMOS image sensor and method of manufacturing the same
- 申请号：CN200510132045.5 申请日：2005-12-16
- 公开(公告)号：CN100530668C 公开(公告)日：2009-08-19
- 发明人： 黄俊
- 申请人： 东部亚南半导体株式会社
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： 东部亚南半导体株式会社
- 当前专利权人： 东部亚南半导体株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐谦
- 优先权： 10-2004-0117235 2004.12.30 KR
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L21/822
摘要：
一种CMOS图像传感器的微透镜的方法，消除了相邻微透镜的弯曲之间的变平间隙。多个滤色器层形成于半导体基板上，在所述半导体基板上形成光电二极管区域、栅电极、层间绝缘层以及金属互连。在多个滤色器层上形成外敷层。在外敷层上形成微透镜。通过微透镜间的间隙所暴露的外敷层被蚀刻，以便在外敷层中的滤色器层之间的边界处形成间隙。执行流动工艺，使得微透镜的弯曲延伸到所述间隙。
公开/授权文献:
- CN1797780A CMOS图像传感器的微透镜及其制造方法 公开/授权日：2006-07-05
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |