基本信息:
- 专利标题： 隧道磁阻器件
- 专利标题（英）：Tunnel magnetoresistance device
- 申请号：CN200510065121.5 申请日：2005-04-08
- 公开(公告)号：CN100524873C 公开(公告)日：2009-08-05
- 发明人： 寺亮之介 , 丰田稻男 , 铃木康利
- 申请人： 株式会社电装
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 过晓东
- 优先权： 114243/2004 2004.04.08 JP
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; H01L43/12
摘要：
一种隧道磁阻(TMR)器件，其具有包含一个下端电极层、一个钉扎层、一个隧道势垒层、一个自由层和一个上端电极层的结构，其可在基底上连续地形成。该隧道势垒层基本上具有化学计量组成。该隧道势垒层可为由ALD法形成的氧化铝薄膜。
公开/授权文献:
- CN1681142A 隧道磁阻器件 公开/授权日：2005-10-12
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/08 | .磁场控制的电阻器 |