基本信息:
- 专利标题： 灰化设备、灰化方法及杂质掺入设备
- 专利标题（英）：Ashing apparatus, ashing method, and impurity doping apparatus
- 申请号：CN200680010338.9 申请日：2006-03-30
- 公开(公告)号：CN100511599C 公开(公告)日：2009-07-08
- 发明人： 金成国 , 水野文二 , 佐佐木雄一朗
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 肖鹂
- 优先权： 099148/2005 2005.03.30 JP
- 国际申请： PCT/JP2006/306740 2006.03.30
- 国际公布： WO2006/106871 JA 2006.10.12
- 进入国家日期： 2007-09-28
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/027 ; H01L21/22 ; H01L21/265
摘要：
一种实现高产量的灰化设备和方法，其中抗蚀剂的表面硬化层和内部非硬化层之间的界面以及非硬化层和半导体基板之间的界面可以被探测，以及一种杂质掺入设备组。等离子体灰化形成在抗蚀剂上的表面硬化层和内部非硬化层的该灰化设备，该抗蚀剂作为掩模涂覆在半导体基板上并且掺有杂质，其特征在于包括偏振光椭圆计，用于在等离子体灰化时使线偏振光入射到半导体基板来探测该半导体基板反射的椭圆偏振光，来探测该硬化层和该非硬化层之间的界面以及该非硬化层和该半导体基板之间的界面。
公开/授权文献:
- CN101151715A 灰化设备、灰化方法及杂质掺入设备 公开/授权日：2008-03-26
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |