基本信息:
- 专利标题： 一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途
- 专利标题（英）：Magnetic multilayer film with linear magnetoresistance effect and its application
- 申请号：CN200510123229.5 申请日：2005-11-15
- 公开(公告)号：CN100505360C 公开(公告)日：2009-06-24
- 发明人： 魏红祥 , 韩秀峰 , 赵静 , 杜关祥 , 王磊 , 王荫君
- 申请人： 中国科学院物理研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村南三街8号
- 专利权人： 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人： 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区中关村南三街8号
- 代理机构： 北京泛华伟业知识产权代理有限公司
- 代理人： 高存秀
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; G01R33/09 ; G01D5/16 ; G11B5/127 ; H01F10/00 ; H01F10/32
摘要：
本发明涉及一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜，其为基于磁矩垂直于水平面的磁性材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底，其上依次沉积了缓冲层、第一磁性层、非磁金属导电层或者绝缘层、第二磁性层、反铁磁钉扎层及覆盖层，所述的第一磁性层的磁矩方向为竖直方向，第二磁性层的磁矩方向为水平方向，即第一磁性层的磁矩方向与第二磁性层的磁矩方向相互垂直。本发明提供的对磁场呈线性响应的磁性多层膜可用于磁场传感器和磁头。使用了本发明提供的磁性多层膜的磁场传感器克服了一般传感器只能探测水平方向磁场变化的缺点，在不改变传感器位置和方向的前提下，可以实现垂直方向磁场的测量。
公开/授权文献:
- CN1967891A 一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途 公开/授权日：2007-05-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/08 | .磁场控制的电阻器 |