基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and manufacturing method thereof
- 申请号：CN200410090361.6 申请日：2004-11-04
- 公开(公告)号：CN100474575C 公开(公告)日：2009-04-01
- 发明人： 石川明 , 山口哲司
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 张雪梅; 张志醒
- 优先权： 375038/03 2003.11.04 JP
- 主分类号： H01L23/52
- IPC分类号： H01L23/52 ; H01L21/768
摘要：
一种易于形成精细且可靠的多层布线结构的技术。在该多层结构中，之间夹有绝缘层形成的下层布线和上层布线在形成于下层布线中的突起中相互电连接。该突起包括柱状导电元件及其上、下层，并且所述上层和下层分别由形成在整个下层布线上的导电层形成。上层布线在所述突起暴露在与所述绝缘层的顶表面基本相同的平面处与下层布线电连接。
公开/授权文献:
- CN1614776A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2005-05-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/52 | .用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置 |