基本信息:
- 专利标题： 半导体存储装置的内部电压产生电路
- 专利标题（英）：Internal voltage generation circuit of semiconductor memory device
- 申请号：CN200510003875.8 申请日：2005-01-19
- 公开(公告)号：CN100472653C 公开(公告)日：2009-03-25
- 发明人： 任才爀 , 李在真
- 申请人： 海力士半导体有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 黄小临; 王志森
- 优先权： 25060/04 2004.04.12 KR
- 主分类号： G11C11/4063
- IPC分类号： G11C11/4063 ; G11C11/4074 ; G11C11/413 ; G11C7/00
摘要：
本文揭示了一种半导体存储装置的内部电压产生电路，其能够根据该存储装置的不同运行模式将不同电平的电压供应给该存储装置中的列路径和控制逻辑以及数据路径和控制逻辑。当该列路径和控制逻辑以及该数据路径和控制逻辑处于存储装置的电流运行模式时，其施加有一正常运行电压，而当其不处于电流运行模式时，其施加有一较低电压。因此，本发明具有有效管理半导体存储装置的内部电压以及减少存储装置的电流泄漏且又能减少其不必要的功率消耗的效果。
公开/授权文献:
- CN1684199A 半导体存储装置的内部电压产生电路 公开/授权日：2005-10-19