基本信息:
- 专利标题： 生产层排列的方法，生产电气元件、层排列和电气元件的方法
- 专利标题（英）：Method of producing a layer arrangement, method of producing an electrical component, layer arrangement, and electrical component
- 申请号：CN200610163749.3 申请日：2006-11-24
- 公开(公告)号：CN100456419C 公开(公告)日：2009-01-28
- 发明人： G·杜斯伯格 , M·利鲍 , F·科鲁普尔 , C·卡普泰恩
- 申请人： 奇梦达股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 奇梦达股份公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 余刚; 李丙林
- 优先权： 102005056262.0 2005.11.25 DE
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/768 ; H01L21/82 ; H01L29/92 ; H01L23/522 ; H01L27/02
摘要：
利用一种生产层排列的方法形成一种基本上含碳的导电碳层。在该碳层上形成一种保护层。在该保护层上形成一种电绝缘层，该保护层防止该碳层在该电绝缘层的形成期间受到损伤。此外，提出一种层排列，该层排列具有基本上含碳的导电碳层，在该碳层上形成的保护层，以及在该保护层上形成的电绝缘层，该保护层用于避免该碳层受到该电绝缘层的损伤。
公开/授权文献:
- CN1971847A 生产层排列的方法,生产电气元件、层排列和电气元件的方法 公开/授权日：2007-05-30
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |