基本信息:
- 专利标题： 用于化合物半导体的薄膜层的生长方法
- 专利标题（英）：METHOD OF GROWTH OF THIN FILM LAYER FOR USE IN A COMPOSITE SEMICONDUCTOR
- 申请号：CN86106177 申请日：1986-09-09
- 公开(公告)号：CN1004455B 公开(公告)日：1989-06-07
- 发明人： 松居祐一
- 申请人： 住友电气工业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府大阪市东区北浜5丁目15番地
- 专利权人： 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人： 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府大阪市东区北浜5丁目15番地
- 代理机构： 中国专利代理有限公司
- 代理人： 肖掬昌; 肖春京
- 优先权： 198878/85 1985.09.09 JP; 200872/85 1985.09.10 JP; 209753/85 1985.09.20 JP
- 主分类号： H01L21/203
- IPC分类号： H01L21/203
摘要：
一种生产化合物半导体的方法，它包括一个在化合物半导体的衬底或底层上除去杂质分子的步骤，它在生长外延层之前，将III族分子束或V族分子束投射到化合物半异体的衬底或底层上，以及一个在化合物半导体的衬底或底层上生长III族和V族原子的化合物半导体薄膜层的步骤。
公开/授权文献:
- CN86106177A 用于化合物半导体的薄膜层的生长方法 公开/授权日：1987-06-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/203 | .....应用物理沉积的，例如真空沉积，溅射 |