基本信息:
- 专利标题： 制作超高伸张应力膜以及应变硅晶体管的方法
- 专利标题（英）：Method for fabricating ultra-high tensile-stressed film and strained-silicon transistors thereof
- 申请号：CN200510128854.9 申请日：2005-12-07
- 公开(公告)号：CN100431111C 公开(公告)日：2008-11-05
- 发明人： 陈能国 , 蔡腾群 , 黄建中 , 陈再富 , 洪文瀚
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陶凤波; 侯宇
- 优先权： 60/593,781 2005.02.13 US
- 主分类号： H01L21/318
- IPC分类号： H01L21/318 ; H01L21/31 ; H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
本发明披露一种制作超高伸张应力膜的方法，首先进行等离子体增强化学气相沉积工艺，于衬底的表面上沉积一过渡氮化硅膜，且该过渡氮化硅膜具有一第一氢原子浓度，接着对该过渡氮化硅膜进行UV照射工艺，将该过渡氮化硅膜的第一氢原子浓度降低至一第二氢原子浓度。
摘要（英）：
A metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor device is disclosed. The MOS transistor device comprises a semiconductor substrate; a gate structure on the semiconductor substrate; source/drain regions on the semiconductor substrate adjacent to the gate structure; an ultra-high tensile-stressed nitride film having a hydrogen concentration of less than 1E22 atoms/cm3 covering the gate structure and the source/drain regions; and an inter-layer dielectric (ILD) film over the ultra-high tensile-stressed nitride film.
公开/授权文献:
- CN1819121A 制作超高伸张应力膜以及应变硅晶体管的方法 公开/授权日：2006-08-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/318 | .......由氮化物组成的无机层 |