基本信息:
- 专利标题： 具有平坦化的栅极总线的沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管
- 专利标题（英）：Trench power MOSFET with planarized gate bus
- 申请号：CN200480005947.6 申请日：2004-03-04
- 公开(公告)号：CN100405609C 公开(公告)日：2008-07-23
- 发明人： 理查德·K·威廉斯 , 迈克尔·E·康奈尔 , 陈伟钿
- 申请人： 先进模拟科技公司 , 先进模拟科技(香港)有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 先进模拟科技公司,先进模拟科技(香港)有限公司
- 当前专利权人： 先进模拟科技公司,先进模拟科技(香港)有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 李晓舒; 魏晓刚
- 优先权： 10/383,231 2003.03.05 US
- 国际申请： PCT/US2004/006621 2004.03.04
- 国际公布： WO2004/079794 EN 2004.09.16
- 进入国家日期： 2005-09-05
- 主分类号： H01L27/148
- IPC分类号： H01L27/148
Power MOSFET's and fabrication processes for power MOSFET's use a continuous conductive gate structure within trenches to avoid device topology problems caused when a gate bus extends above a substrate. The conductive gate structure forms trench gates in an active device region and forms a gate bus in a gate bus trench. The gate bus trench connects to device trenches and can be wide to facilitate forming a contact to the gate bus. The device trenches can be narrow to maximize device density. The gate bus and/or gates contain a metal/silicide to reduce resistance, and polysilicon surrounds the metal/silicide to prevent metal atoms from penetrating the gate oxide layers. A CMP process can planarize the conductive gate structure and/or overlying insulating layers. The processes are compatible with forming self-aligned or conventional contacts in the active device region.
公开/授权文献:
- CN1757117A 具有平坦化的栅极总线的沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管 公开/授权日：2006-04-05
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |
| --------------H01L27/148 | ....电荷耦合图像器件 |