基本信息:
- 专利标题： 磁电阻效应元件、磁头和磁再现设备
- 专利标题（英）：Magneto-resistive effect element, magnetic head and magnetic reproducing device
- 申请号：CN200410083163.7 申请日：2004-09-29
- 公开(公告)号：CN100382353C 公开(公告)日：2008-04-16
- 发明人： 汤浅裕美 , 福泽英明 , 桥本进 , 岩崎仁志
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 王永刚
- 优先权： 344030/2003 2003.10.02 JP
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; G11B5/39 ; G11B5/127 ; G11B5/33
摘要：
一种磁电阻效应元件，包括：磁化被钉扎层、磁化自由层、设置在磁化被钉扎层和磁化自由层之间的非磁性金属层、电阻增加层、自旋过滤层和一对电极。电阻增加层包括绝缘部分并且被设置在磁化被钉扎层、磁化自由层和非磁性金属层至少之一中。自旋过滤层设置成与磁化自由层相邻并且具有5nm到20nm范围的厚度。磁化自由层设置在自旋过滤层和非磁性金属层之间。磁化被钉扎层、磁化自由层、非磁性金属层、电阻增加层和自旋过滤层设置在电极之间。
公开/授权文献:
- CN1604355A 磁电阻效应元件、磁头和磁再现设备 公开/授权日：2005-04-06
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/08 | .磁场控制的电阻器 |