基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for manufacturing same
- 申请号：CN200510106818.2 申请日：2005-09-22
- 公开(公告)号：CN100346468C 公开(公告)日：2007-10-31
- 发明人： 宇佐美达矢 , 森田昇 , 大音光市
- 申请人： 恩益禧电子股份有限公司
- 申请人地址： 日本神奈川
- 专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
- 当前专利权人： 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 穆德骏; 陆锦华
- 优先权： 2004－276038 2004.09.22 JP
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/28 ; H01L21/31
摘要：
提供一种用于抑制半导体器件中发生的介电击穿的技术。半导体器件包括半导体衬底(未示出)、形成在半导体衬底上的层间绝缘膜102以及设置在层间绝缘膜102上的多层绝缘膜140。半导体器件包括设置为延伸贯穿多层绝缘膜140并包括Cu膜120和阻挡金属膜118的导电体。阻挡金属膜118被设置为覆盖Cu膜120的侧表面和底表面。该半导体器件包括布置在多层绝缘膜140和导电体(即，Cu膜120和阻挡金属膜118)之间的绝缘膜116。
公开/授权文献:
- CN1753164A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2006-03-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |