一种FPGA中双端口SRAM阵列的内建自测和修复系统及其方法转让专利
申请号 : CN201710099765.9
文献号 : CN108511029B
文献日 : 2022-04-05
发明人 : 张伟国 , 俞军 , 方刘禄 , 俞剑 , 刘跃智 , 张爱丽
摘要 :
本发明公开了一种FPGA中双端口SRAM阵列的内建自测和修复系统,包含:检测模块,用于获取内建自测过程的开始信号;自测试模块,包含:测试波形产生单元,用于产生不同的测试波形及读写控制信号;故障检测单元,用于比较从SRAM阵列的端口中读出的数据与预期数据,若不一致,则产生故障指示信号;存储单元,用于记录读出的数据、预期数据以及读出的数据与预期数据的对比结果;切换单元,用于切换测试的端口;还包含自修复模块,用于根据故障指示信号及对比结果对SRAM阵列进行修复。本发明还公开了一种内建自测和修复方法。本发明将双端口SRAM阵列配置成A端口写B端口读或者B端口写A端口读来测试,保证测试故障覆盖率高,并且测试和修复的效率高。