非易失性存储器及非易失性存储器的操作方法

摘要

提供一种非易失性存储器的操作方法，所述操作方法包括：将每个单元串中邻近基底的至少一个第一存储单元的阈值电压调整为高于擦除状态的阈值电压分布；以及读取每个单元串中位于所述至少一个第一存储单元上方的第二存储单元，其中，每个单元串中的所述至少一个第一存储单元是伪存储单元。