超结结构和超结半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种超结结构和超结半导体器件的制造方法，通过刻蚀沟槽、小倾角离子注入、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等工艺关键步骤形成新型半导体超结及超结器件。相对于现有技术，本发明具有以下优点：第一，避免采用多次外延、多次注入的方式形成超结；第二、可以确保槽栅底部与体区下界面平齐或略低，从而提高器件耐压，并降低栅-源和栅-漏电容；第三，由于沟槽的深度降低，小角度注入的工艺难度降低，工艺容差增加，且拓展沟槽内介质的填充和平坦化更容易；第四、不需要复杂的掩模，避免了小角度注入对沟道区的影响；第五、避免拓展槽填充及平坦化、槽栅制作以及平坦化对已形成的体区、体接触区以及源区产生不利影响。