该申请人涉及专利文献：1457，涉及专利：1303件
覆盖主要的IPC大类包括：G06(439)、H01(301)、H03(166)、H02(99)、H04(97)、G05(97)、G01(92)、G11(61)、H10(37)、G09(23)
专利类型分布状况：发明公开(965)、发明专利(300)、实用新型(38)
专利不同法律状态数据分布状况：有效专利(477)、实质审查(424)、公开(304)、无效专利(76)、失效专利(21)
该领域主要的发明人有：王政治(101)、陈柏安(64)、日弗·赫诗曼(46)、韦维克(41)、温文莹(39)、谢仲铭(29)、溫文瑩(27)、朱炳盈(24)、陳柏安(24)、韋 維克(24)
详细地址：台湾 中国台湾新竹科学工业园区
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明公开 | 电子装置以及加强电子装置的安全性的方法 | CN120470633A |
| 发明公开 | 横向扩散金属氧化物半导体场效应的制作方法及其晶体管 | CN120435019A |
| 发明公开 | 模拟数字转换电路及模拟数字转换方法 | CN120415437A |
| 发明公开 | 集成电路以及确保集成电路安全的方法 | CN120408594A |
| 发明公开 | 警示产生电路 | CN120406654A |
| 发明公开 | 在氮化镓深沟工艺中保护侧壁的方法及使用其的集成电路 | CN120390447A |
| 发明公开 | 存储电路、控制方法及控制芯片 | CN120386670A |
| 发明公开 | 具负载电流感测的D类放大器及其操作方法 | CN120377843A |
| 发明公开 | 用于高压功率组件动态开关特性的测试电路及其测试方法 | CN120370145A |
| 发明授权 | 半导体装置 | CN115346980B |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 新唐科技股份有限公司 | 2125 |
| 2 | 新唐科技股份有限公司 NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION | 5 |
| 3 | 新唐科技股份有限公司(TW) | 5 |
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 王政治 | 101 |
| 2 | 陈柏安 | 64 |
| 3 | 日弗·赫诗曼 | 46 |
| 4 | 韦维克 | 41 |
| 5 | 温文莹 | 39 |
| 6 | 谢仲铭 | 29 |
| 7 | 溫文瑩 | 27 |
| 8 | 朱炳盈 | 24 |
| 9 | 陳柏安 | 24 |
| 10 | 韋 維克 | 24 |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 1444 |
| 2 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 3 |
| 3 | 隆天知识产权代理有限公司 | 2 |
| 4 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 1 |
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 王涛 | 310 |
| 2 | 任默闻 | 248 |
| 3 | 洪澄文 | 224 |
| 4 | 汤在彦 | 192 |
| 5 | 王天尧 | 165 |
| 6 | 周永君 | 152 |
| 7 | 叶明川 | 150 |
| 8 | 顏錦順 | 144 |
| 9 | 葉璟宗 | 143 |
| 10 | 楊長峯 | 141 |
