该申请人涉及专利文献：7525，涉及专利：4196件
覆盖主要的IPC大类包括：H01(2711)、G11(412)、H03(274)、H10(233)、G01(225)、G06(221)、G03(153)、G05(95)、B81(88)、H02(75)
专利类型分布状况：发明公开(4170)、实用新型(21)、发明申请(5)
专利不同法律状态数据分布状况：有效专利(2090)、实质审查(1052)、无效专利(1003)、公开(28)、失效专利(21)
该领域主要的发明人有：杨光军(292)、李昊(152)、戴若凡(129)、刘张李(111)、钱文生(106)、陈宏(106)、胡剑(93)、颜树范(93)、张振兴(87)、徐涛(78)
详细地址：中国 上海市 浦东新区 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路 1399号 201203
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明公开 | 改善栅氧化层形貌的方法 | CN120475756A |
| 发明公开 | 半导体结构及其形成方法、芯片 | CN120475723A |
| 发明公开 | 一种芯片失效测试方法 | CN120472968A |
| 发明公开 | 屏蔽栅MOSFET的结构及工艺方法 | CN120456576A |
| 发明授权 | 一种有效分辨闪存真假数据保留性失效的测试方法 | CN116110480B |
| 发明授权 | 功率放大器及深回退区高效率放大实现方法 | CN114244282B |
| 发明授权 | 分栅存储器阵列结构及操作方法 | CN114023364B |
| 发明公开 | 半导体器件的形成方法 | CN120413525A |
| 发明授权 | 一种分栅快闪存储单元及其制备方法 | CN114823685B |
| 发明公开 | 失效芯片的筛选方法 | CN120340578A |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 7527 |
| 2 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司(CN) | 3 |
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 杨光军 | 292 |
| 2 | 李昊 | 152 |
| 3 | 戴若凡 | 129 |
| 4 | 刘张李 | 111 |
| 5 | 钱文生 | 106 |
| 6 | 陈宏 | 106 |
| 7 | 胡剑 | 93 |
| 8 | 颜树范 | 93 |
| 9 | 张振兴 | 87 |
| 10 | 徐涛 | 78 |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 3982 |
| 2 | 上海思微知识产权代理事务所 | 2207 |
| 3 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 997 |
| 4 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 211 |
| 5 | 上海信好专利代理事务所 | 105 |
| 6 | 北京市金杜律师事务所 | 2 |
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 丁纪铁 | 1123 |
| 2 | 郭四华 | 1020 |
| 3 | 屈蘅 | 771 |
| 4 | 戴广志 | 601 |
| 5 | 郑玮 | 588 |
| 6 | 骆苏华 | 579 |
| 7 | 曹廷廷 | 380 |
| 8 | 周耀君 | 355 |
| 9 | 吴敏 | 326 |
| 10 | 刘昌荣 | 243 |
