代理专利文献：43364，涉及专利：10000件
覆盖主要的IPC大类包括：H01(8944)、G01(2822)、G06(2311)、H04(1635)、G03(1569)、H02(1272)、A61(1055)、E04(907)、F16(789)、B60(661)
专利类型分布状况：发明公开(20114)、实用新型(9680)、外观设计(3233)、发明申请(575)
专利不同法律状态数据分布状况：有效专利(12558)、失效专利(10727)、无效专利(7529)、实质审查(2122)、公开(657)
涉及到的主要客户：上海华力微电子有限公司(3174)、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司(2744)、上海华虹宏力半导体制造有限公司(2446)、上海电机学院(2095)、上海微电子装备有限公司(1669)、联合汽车电子有限公司(1558)、武汉新芯集成电路制造有限公司(997)、上海宏力半导体制造有限公司(957)、上海微电子装备(集团)股份有限公司(922)、昆山市周市惠宏服装厂(889)
涉及到的主要发明人：解吉平(889)、严卫忠(349)、不公告发明人(231)、施晓旦(213)、倪雪明(199)、姚建平(199)、梁菊明(199)、蒋建业(199)、龚菊明(194)、杨光军(144)
发明专利授权成功率：100%
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明授权 | LDMOS的仿真模型及方法 | CN118821695B |
| 发明授权 | 一种预制复合墙与钢结构的连接节点 | CN116623836B |
| 发明授权 | 半导体器件的制造方法 | CN115763252B |
| 发明授权 | 分栅快闪存储单元及其制备方法 | CN115411043B |
| 发明公开 | 掩模版制版数据生成方法、制版工具、介质及设备 | CN120802558A |
| 发明授权 | 电容器件及其制造方法 | CN119447090B |
| 发明公开 | 缺陷标记装置及标记方法 | CN120784180A |
| 发明公开 | 晶圆结构及其形成方法 | CN120784170A |
| 发明公开 | 一种半导体器件及其制作方法 | CN120769537A |
| 发明公开 | OTP存储器件及形成方法 | CN120769499A |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 上海华力微电子有限公司 | 3174 |
| 2 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 2744 |
| 3 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 2446 |
| 4 | 上海电机学院 | 2095 |
| 5 | 上海微电子装备有限公司 | 1669 |
| 6 | 联合汽车电子有限公司 | 1558 |
| 7 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 997 |
| 8 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 957 |
| 9 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 922 |
| 10 | 昆山市周市惠宏服装厂 | 889 |
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 解吉平 | 889 |
| 2 | 严卫忠 | 349 |
| 3 | 不公告发明人 | 231 |
| 4 | 施晓旦 | 213 |
| 5 | 倪雪明 | 199 |
| 6 | 姚建平 | 199 |
| 7 | 梁菊明 | 199 |
| 8 | 蒋建业 | 199 |
| 9 | 龚菊明 | 194 |
| 10 | 杨光军 | 144 |
