代理专利文献:8847,涉及专利:5800件
覆盖主要的IPC大类包括:H01(928)、A61(335)、G01(315)、A47(294)、G02(259)、F16(249)、F25(245)、H04(212)、G03(211)、B65(205)
专利类型分布状况:发明公开(4910)、外观设计(683)、实用新型(207)
专利不同法律状态数据分布状况:失效专利(2951)、无效专利(1173)、有效专利(1161)、实质审查(407)、公开(108)
涉及到的主要客户:三星电子株式会社(2386)、株式会社电装(418)、三星光州电子株式会社(275)、ASML荷兰有限公司(239)、普拉德研究及开发股份有限公司(183)、泰科电子(上海)有限公司(121)、精工爱普生株式会社(121)、同方威视技术股份有限公司(108)、三星SDI株式会社(105)、日立工机株式会社(96)
涉及到的主要发明人:吴长根(51)、林怀荣(21)、安德斯·法人德芙(20)、韩大成(19)、徐承敦(16)、孙钟哲(15)、宫川雅志(12)、成翰俊(12)、武内裕嗣(12)、朴在龙(11)
发明专利授权成功率:62%
专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
---|---|---|
发明公开 | 自相似高效太阳能电池和聚光器 | CN120304037A |
发明公开 | 可再充电电池模组 | CN120280662A |
发明公开 | 包括扬声器的电子装置 | CN120266078A |
发明公开 | 用于生产三维微孔细丝构建体的方法 | CN120265403A |
发明公开 | 电池以及包括该电池的电子装置 | CN120188326A |
发明公开 | 半导体器件 | CN120187007A |
发明公开 | 封装结构以及形成封装结构的方法 | CN120184144A |
发明公开 | 电极及其用途 | CN120092106A |
发明公开 | 用于制造电极的装置和方法以及由其制造的电极 | CN120033189A |
发明公开 | 烧结钕铁硼晶粒生长的模拟方法、装置、设备及介质 | CN120015193A |
排名 | 企业名称 | 专利 |
---|---|---|
1 | 三星电子株式会社 | 2386 |
2 | 株式会社电装 | 418 |
3 | 三星光州电子株式会社 | 275 |
4 | ASML荷兰有限公司 | 239 |
5 | 普拉德研究及开发股份有限公司 | 183 |
6 | 泰科电子(上海)有限公司 | 121 |
7 | 精工爱普生株式会社 | 121 |
8 | 同方威视技术股份有限公司 | 108 |
9 | 三星SDI株式会社 | 105 |
10 | 日立工机株式会社 | 96 |
排名 | 发明人 | 专利 |
---|---|---|
1 | 吴长根 | 51 |
2 | 林怀荣 | 21 |
3 | 安德斯·法人德芙 | 20 |
4 | 韩大成 | 19 |
5 | 徐承敦 | 16 |
6 | 孙钟哲 | 15 |
7 | 宫川雅志 | 12 |
8 | 成翰俊 | 12 |
9 | 武内裕嗣 | 12 |
10 | 朴在龙 | 11 |